机译:TiN / Al_2O_3堆的等离子体辅助原子层沉积,用于金属氧化物半导体电容器应用
机译:原子层沉积-Al_2O_3界面层对锗金属氧化物半导体电容器界面特性的影响
机译:Al2O3的等离子体辅助原子层沉积和聚对二甲苯C双层封装用于慢性植入式电子产品
机译:在c-Si太阳能电池中通过等离子体辅助原子层沉积沉积的Al2O3钝化层的电和化学表征
机译:通过原子层沉积形成的高k砷化铟金属氧化物半导体电容器。
机译:Al2O3的等离子体辅助原子层沉积和聚对二甲苯C双层封装用于慢性植入式电子产品
机译:表面处理和气体退火条件对原子层沉积Al2O3 / N-In0.53GA0.47AS金属氧化物半导体电容器的反演行为的影响
机译:al2O3原子层沉积涂层保护聚合物免受原子氧侵蚀